Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
Вольтамперная характеристика реального диода пр0^ *ит ниже, чем у идеального рп перехода: сказывается шяние сопротивления базы (рис. 2.6).
После точки А вольтамперная характеристика будет представлять собой прямую линию, так как при напря^6ч нии Ua потенциальный барьер полностью компенсирует^ внешним полем. Кривая обратного тока ВАХ имеет 8& 'клон, так как за счет возрастания обратного напряжена^ увеличивается генерация собственных носителей зарЯда ;(рис. 2.7).
На рис. 2.7 показаны следующие участки: —максимально допустимый прямой ток Jnp.max ^ постоянный ток через диод впрямом направление Если через диод пропускать ток не постояцао а порциями, такой режим называется импульсн^щ Максимальный импульсный ток через диод обьр, но всегда больше прямого максимального тока, ве
приводящего к разрушению кристалла полупро-водника;
—максимальное прямое падение напряжения t/np.max на диоде при максимально прямом токе;
—максимально допустимое обратное напряжение С/обр.тах = (%... 3Л) • С/эл.проб — такое обратное напряжение, которое будучи приложенным к диоду не вкгзовет в нем необратимого пробоя;
Цэл.проб Цобр^Цобр1'1^ Uo6p I"
—обратный ток /обр.тах при максимально допусти¬мом обратном напряжении. Обычно чем мощнее диод, тем больше обратный ток через него.
