Собственным полупроводником, или полупроводником i-типа, называется идеально химически чистый полупро¬водник с однородной кристаллической решеткой. Кристал¬лическая структура полупроводника на плоскости может быть определена следующим образомЕсли электрон получил энергию больше ширины запрещенной зоны, он разрывает ковалентную связь и становится свободным. На его месте образуется^ занятая носителем вакансия, которая имеет положительный заряд, равный по величине заряду электрона и называемый дыр¬кой В полупроводнике i-типа, отрицательный заряд всех электронов материала компенсируется положительным зарядом всех ядер [123], и концентрация электронов т равна концентрации дырок pi, т. е. да - pi-
Процесс образования пары зарядов электрон — дырка , называется генерацией заряда, а обратный процесс за¬полнения вакансий в кристаллической решетке реком¬бинацией носителей заряда.
Свободный электрон может занимать место дырки, восстанавливая ковалентную связь и при этом выделяя избыток энергии в виде тепла или, в редких случаях, испуская световое излучение. Такой процесс называет¬ся рекомбинацией зарядов. В процессе рекомбинации и генерации зарядов дырка как бы движется в обратную сторону от направления движения электронов, поэтому ее принято считать подвижным положительным носителем заряда. Дырки или свободные электроны, образующиеся в результате генерации носителей заряда, называются собственными носителями заряда, а проводимость по¬лупроводника за счет собственных носителей заряда -собственной проводимостью проводника.
