Так как у собственных полупроводников проводи¬мость существенно зависит от внешних условий, таких как, например, освещенность или воздействие поля, в полупроводниковых компонентах в основном исполь¬зуют примесные полупроводники. Если в полупровод¬ник ввести пятивалентную примесь, четыре валентных электрона восстанавливают ковалентные связи с атомами полупроводника, а пятый электрон остается свободным (рис. 1.10), за счет чего концентрация свободных элект¬ронов будет превышать концентрацию дырок.• Примесь, за счет которой концентрация электронов больше концентрации дырок, т. е., ni >pi, называется донорной примесью.
• Полупроводник, у которого концентрация электро¬нов больше концентрации дырок, называется полу¬проводником с электронным типом проводимости,
. или полупроводником га-типа.
• В полупроводнике га-типа электроны называются основ¬
ными носителями заряда, а дырки — неосновными
При введении трехвалентной примеси три ее валентных электрона восстанавливают ковалентную связь с атомами полупроводника, а четвертая ковалентная связь оказы¬вается не восстановленной, т. е. имеет место дырка (рис. 1.11). В результате получается, что концентрация дырок, будет больше концентрации электронов.
• Примесь, за счет введения которой концентрация дырок больше концентрации электронов, т. е. pi >ni, называется акцепторной примесью.
• Полупроводник, у которого концентрация дырок больше концентрации электронов, называется по-лупроводником с дырочным типом проводимости, или полупроводником р-типа.
• В полупроводнике/>-типа дырки называются основными носителями заряда, а электроны — неосновными.
