Переход Шоттки, открытый в 1934 г. немецким фи-зиком W. Shottky, возникает на границе раздела металла и полупроводника га-типа, при этом металл обязательно дфйкен иметь большую работу выхода электронов, чем полупроводник, имеющий контакт с металлом.
При контакте двух материалов с разной работой выхо¬да электронов, электрон проходит из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода (рис. 1.22), т. е. не возникает инжекция неосновных но¬сителей заряда при прямом включении перехода.
Электроны из приграничного слоя полупроводника пе¬реходят в металл, а на их месте остаются положительные некомпенсированные заряды ионов донорнои примеси. В металле имеется большое количество свободных элек¬тронов, и, следовательно, на границе металл—полупро¬водник возникают электрическое поле и потенциальный барьер. Возникшее поле будет тормозящим для элек¬тронов полупроводника и отбрасывать их от границы раздела. Граница раздела металла и полупроводника со слоем положительных зарядов ионов донорнои примеси называется переходом Шоттки.
