Ввиду неравномерной концентрации на границе раз-Дела полупроводников р- и л-типа возникает диффузион¬ный ток, за счет него электроны из л-области переходят в Р~ область, а на их месте остаются некомпенсирован¬ные заряды положительных ионов донорной примеси. Электроны, приходящие в р-область, рекомбинируют с Дъцжами, и возникают некомпенсированные заряды огРИцательных ионов акцепторной примеси. Ширинарп перехода составляет десятые доли микрона. На гра¬нице раздела возникает внутреннее электрическое поле рп перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела рис. 1.13).Для неосновных носителей заряда поле будет ускоряю-щим, и перенесет их в область, где они станут основными. Максимум напряженности электрического поля будет наблюдаться на границе раздела.
Распределение потенциала по ширине полупроводника называется потенциальной диаграммой (рис. 1.14).
Разность потенциалов на рп переходе называется кон-тактной разностью потенциалов, или потенциальным барьером. Jijui того чтобы основной носитель заряда смог преодолеть рп переход, его энергия должна быть доста¬точной для преодоления потенциального барьера.
