Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл полупроводника л-типа проводимости, который называют базой диода. Базу приваривают к металличес-кой пластинке, которую именуют кристаллодержателем. Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси, например, на пластинку из гер-мания помещают таблетку из индия. В вакуумной, лечи при высокой температуре (порядка 500 °G) происходит диффузия акцепторной примеси в базу диода> в результате чего образуются область р-типа проводимости и рп переход большой плоскости (отсюда и название). К р- и «-области электронно-дырочного перехода подсоединяют выводы.
Вывод от р-области называется анодом, а вывод от л-области — катодом (рис. 2.3).
Корпуса мощных плоскостных диодов выполняют чаще всего из металла или керамики. Коэффициент расширения материала корпуса диода должен быть таким же, как у полупроводника кристалла, иначе герметичность корпуса или целостность соединения кристалла с базой кристалло-держателя будет нарушена. Металлические корпуса обычно изготовляют из специального сплава — ковара.
Большая плоскость р—л-перехода плоскостных диодов ззволяет им работать при больших прямых токах, но
счет большой барьерной емкости они будут низкочас-тными.
Конструкция точечного диода показана на рис. 2.4.
К базе точечного диода подводят тонкую проволоку из вольфрама или бериллиевой бронзы, легированную атомами акцепторной примеси, через нее пропускают короткие импульсы тока силой до 1 А в прямом и обрат-ном направлениях, что называется формовкой. Процесс
легирования заключается во введении веществ, придаю-щих исходному материалу новые свойства. Легирование чаще всего выполняют либо методом диффузии, либо методом ионной имплантации. Рассмотренный выше метод относится к локальному диффузионному типу. В точке разогрева атомы акцепторной примеси перехо¬дят в базу, образуя ^-область (рис. 2.5). Цель формовки заключается в обеспечении механической прочности и стабильности соединения проволоки с кристаллом путем их локального сплавления.Получается рп переход с небольшой емкостью и очень» малой площадью, за счет чего точечные диоды будут высокочастотными* но могут работать лишь на малых прямых токах, исчисляемых десятками миллиампер.
Корпуса маломощных точечных диодов изготовляют чаще всего из стекла или пластмассы. Как и для мощных диодов, коэффициент линейного расширения кристаллов и корпусов должен быть одинаковым.
Микросплавные диоды получают путем сплавления микрокристаллов полупроводников р- и л-типа проводи¬мости. По характеру исполнения микросплавные диоды будут плоскостные, а по параметрам — близки к точеч¬ным диодам.
