Ганна, открытый в 1963 г. Джоном Б. Ганном, Дшявляется генерацией на сверхвысоких частотах (СВЧ). Ящолупроводниках га-типа проводимости в сильных элек¬трических полях. Рассмотрим рис. 1.24 [32].
Рис. 1.24. ВАХ рп перехода при эффекте Ганна
г Участок ОА — линейный участок, на котором соблю¬дается закон Ома. Участок АВ характерен сравнительно ^большими напряЖенностями электрического поля, из-за уЧего уменьшается подвижность электронов, он показыва-|ет, как легко проходят электроны сквозь кристалличес¬кую решетку вещества за счет увеличения амплитуды ко¬лебания атомов в узлах кристаллической решетки, ввиду |!яего увеличение тока через диод замедляется. Участок ВС ^интересен сильным уменьшением подвижности электро¬дов, которая приводит к уменьшению тока. Участок CD ^возникает при очень больших напряженностях поля, в результате чего значительно увеличивается генерация Просителей зарядов. Несмотря на то, что подвижность %лектронов на данном участке уменьшается, возрастает jiTOK за счет увеличения общего количества зарядов.
Основы а^^тнишой тато„.^
Сущность эффекта Ганна состоит в том, что если в полупроводнике из арсенида галлия и фосфида индия создать напряженность электрического поля, больше Екр, но меньше Епор, т. е. на участке ВС-характеристики, то в полупроводнике возникнут электрические колебания диапазона СВЧ.
Эффект Ганна применяется в диодах Ганна, которые используются в качестве маломощных генераторов СВЧ диапазона волн.
Рассмотрим параметры отечественного генераторного СВЧ диода Ганна марки АА726А.
Значения параметров даны для температуры 25 "С
Минимальная мощность СВЧ колебаний, 10,1 Вт генерируемых постоянно диодом, подклю¬ченным к согласованной нагрузке при падении напряжения на диоде в 8 В
