Дрейфовый ток в полупроводнике возникает за счет приложенного электрического поля, при этом электро-ны движутся навстречу линиям напряженности поля, а дырки — по направлению линий напряженности поля (рис. 1.12).Диффузионный ток возникает из-за неравномерной концентрации носителей заряда. Если концентрация но* сителей заряда в области л2 на единицу длины Ах будет больше концентрации носителей заряда в области л1, по-лучим разницу в концентрациях п2 — nl = An. Чем выше
кшнцентрация примесей в полупроводнике, тем меньше
J§Sa>pocTb перемещения носителей заряда, чем выше на-
• .яженность электрического поля в кристалле полупро-
| водника, тем ниже подвижность носителей заряда.
и Ал
' ~.'J\
Отношение Ах — градиент неравномерности кон-**ЯИитРаЦии примесей. Величину плотности диффузион-
Ал |»го тока определяет градиент неравномерности Ах . Плотность диффузионного тока для полупроводника jp-типа можно найти по формуле
где Dp, Dn — коэффициенты диффузии дырок и электронов [38], [53], которые связаны с одноименными носителями заряда формулой Эйнштейна.
