Toshiba и Hynix объединиться для разработки и производства MRAM памяти
Признавая бесспорным господство стандарта DRAM, японская корпорация Toshiba и южнокорейская компания Hynix Semiconductor все же решили подготовиться к будущему в технологии хранения информации и сформировали партнерство для совместной работы над разработкой и производством памяти с довольно длинным и замысловатым названием Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory или проще MRAM.
Стандарт MRAM, над которым разработчики работали уже в течение довольно длительного времени (около 20 лет), является энергонезависимым решением, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Такой подход является более энергоэффективным, чем стандартная DRAM память, поэтому прекрасно подойдет для будущих мобильных устройств. Поскольку отличная скорость является коньком стандарта MRAM, то со временем она, вполне возможно, что и вытеснит DRAM с рынка десктопов. Впрочем, переход на новую технологию займет какое-то время, причем Toshiba и Hynix отказались называть конкретные сроки.
"Мы считаем, что MRAM имеет огромный потенциал в качестве масштабируемой энергонезависимой памяти," сказал Киеси Кобаяши (Kiyoshi Kobayashi), корпоративный старший вице-президент компании Toshiba Corporation, а также президент и главный исполнительный директор Toshiba Semiconductor Semiconductor and Storage Products Company. "Мы будем решительно поддерживать инициативы в области интеграции решений для хранения данных, включая MRAM, NAND, и жесткие диски. Совместная с Hynix программа развития стандарта MRAM является одним из ключевых шагов в поддержке наших усилий".
