Samsung объявила о начале эры памяти на основе фазового перехода (PRAM)
Представители южнокорейского гиганта Samsung Electronics сегодня выступили с заявлением о том, что компания стала первым в мире поставщиком мультичиповых модулей PRAM-памяти (память на основе фазового перехода) для мобильных телефонов. Первые модули, емкостью 512 Мб, появятся уже в этом квартале.
PRAM является преемницей NOR-памяти. Данные в PRAM хранятся за счет изменения фазового состояния базового материала, в орли которого как правило выступает германий, сурьма или титан. В сравнении с NOR, модули PRAM будут отличаться втрое возросшей производительностью и многократно возросшим количеством циклов перезаписи.
Донгсо Джун (Dong-soo Jun), вице-президент подразделения Samsung, ответственного за продажи памяти, отметил, что на фоне стремительного развития функциональности мобильных телефонов, появление нового типа памяти пришлось как нельзя кстати. Со временем в производстве сотовых телефонов PRAM постепенно вытеснит 40-нм чипы NOR-памяти. Следующим этапом после массового перехода на PRAM MCP станет внедрение LPDDR2 DRAM и нового поколения PRAM. Производство PRAM по 60-нм техпроцессу компания Samsung начала еще в сентябре прошлого года.
