Intel и Micron рапортовали о начале производства 25-нм памяти
Один год прошел с того момента, когда компания IM Flash Technologies рассказала о разработке 34-нм MLC NAND флеш-памяти с возможностью записи 3 бит на одну ячейку (3-bit-per-cell или коротко 3bpc). Сегодня консорциум между Intel и Micron объявил о начале производства чипов 3bpc по 25-нм техпроцессу.
Модули новой 3bpc (или TLC) NAND-памяти будут иметь емкость 64 Гб (8 Гб), что автоматически делает их самыми миниатюрными NAND-девайсами с наибольшей доступной на данный момент плотностью записи. Такого рода чипы будут использоваться в различных USB-накопителях, картах памяти формата SD, в мобильниках, смартфонах и планшетах.
Том Рампон (Tom Rampone), вице-президент Intel, отметил, что для двух компаний, котоыре совместно работали над созданием новых модулей, переход к 25-нм техпроцессу стал очередным прорывом на пути к рыночному лидерству. Intel рассчитывает наладить массовое производство чипов, что приведет к снижению себестоимости производства памяти. В ближайшее время будут выпускаться 25-нм NAND TLC на 8 Гб. IM Flash Technologies наметила начало массового производства уже на конец этого года.
