К одному из недостатков ТТЛ можно отнести сравни-
льно низкое быстродействие, которые объясняется тем,
при переключении транзистора из режима насыщения
режим отсечки база транзистора оказывается насыщен-
неосновными носителями заряда, и коллекторный ток
нзистора будет продолжать течь до тех пор, пока неос-
вные носители заряда не перейдут из базы в коллектор.
ля повышения быстродействия в ТТЛ между базой и
коллектором транзистора включают быстродействующий переход Шоттки, получая элемент ТТЛШ.
В этом случае неосновные носители будут переходить по пути минимального сопротивления из базы в коллек¬тор не через коллекторный рп переход, а через переход Шоттки; (й)ис. 8.34).
На принципиальных схемах транзистор с переходом Шоттки обозначается так, как показано на рис. 8.35 [113Транзисторы с переходом Шоттки широко используют не только в транзисторно-транзисторной логике, но и в других ее видах, специальных дискретных транзисторах для быстродействующих ключевых устройств импульсной техники.
