Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
При нагревании полупроводникового кристалла нзистора рабочая точка смещается по нагрузочной -мои, что приводит к увеличению коллекторного тока f уменьшению напряжения коллектор-эмиттер тран¬ша Шэ (рис. 9.12), что равносильно приоткрыванию нзистора.тора £/бэ будет уменьшаться, эмиттерный переход станет подзапираться и рабочая точка сохранит свое положение на нагрузочной прямой.Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки при использовании полупроводникового диода (рис. 9.14).При увеличении температуры сопротивление диода -ратном включении будет уменьшаться за счет тем-турной генерации носителей заряда в кристалле ^проводника. Общее сопротивление включенных па-лельно резистора Дб" и диода VD1 будет уменьшаться, ■ приведет к уменьшению напряжения база-эмиттер ;, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет
ipe положение.
t Недостатком усилительных каскадов с терморезис-!(ром и полупроводниковым диодом является то, что ^ерморезистор, и полупроводниковый диод должны
дбираться по температурным свойствам для каждого кретного транзистора, что нетехнологично, поэтому ' иболее часто имеют дело с каскадами с температурной ' абилизацией, выполненной путем введения отрица-
льной обратной связи (ООС) по постоянным току и пряжению.
