Оптроном, или оптоэлектронной парой, называется эйство, состоящее из светоизлучателя, фотоприемни->и оптически прозрачной среды (световода) между ними, оводы часто изготовляют из неорганических селено-и свинцовых органических стекол. Светоизлучателем ужит светодиод, фотоприемником — фоторезистор, отранзистор, фотодиод, фотосимистор, фотодинистор, эму оптроны называют резисторными, траязисторны-:, диодными, симисторными, динисторными. Основная *ача оптрона— обеспечить передачу информации без-ектрической гальванической связи между входом и годом. Так как у арсенида галлия, используемого в 1естве кристалла светодиода, коэффициент прелом-ния велик и составляет 3,6, то и оптически прозрач-я среда должна обладать большим коэффициентом ломления. Такие среды именуют иммерсионными, противление между светодиодом и фотоприемником в асимости от материала оптически прозрачной среды и протяженности может составлять от 1015 до 1021 Ом • см. современных интегральных микросхемах часто при-няют пленочные оптоэлектронные пары, в которых тически прозрачные среды выполнены методом ион-го обмена или фотолитографии. Светодиоды оптронов огда не выполняют с антистоксовыми люминофорами, как светодиоды с антистоксовыми люминофорами явственно проигрывают в быстродействии обычным секционным светодиодам.
УГО разных видов простейших оптронов с прямой •еской связью изображено на. рис. 8.36—8.39.
Светодиоды оптоэлектронных пар обычно выполняют инжекционными из арсенида галлия, это необходимо'для обеспечения высокого быстродействия оптрона, ввиду чего диодные оптроны способны передавать сигналы с частотами до 500 МГц, транзисторные —_до 1 МГц, а ре-зисторные — до 10 кГц. Фотоприемник выполняют чаще всего на кристалле кремния, диодные, транзисторные, симисторные и динйсторные оптроны используют пре-явственно в ключевых устройствах, а резисторные — '^епях систем автоматики. Быстродействие резисторных эонов оставляет желать лучшего, поэтому в клкГчевых эойствах их применение ограничено. Маркировка оптронов показана на рис. 8.40.Расшифровывается маркировка так:
1 — материал полупроводника. Буква «А» означает сенид галлия.
2 — буква «О» означает, что мы имеем дело с опт-ном.
3 — тип оптрона по виду фотоприемника. «Д» — ди-ный оптрон, «У» — тиристорный.
4 — группа по электрическим параметрам.
5 — модификация прибора в четвертой группе.
В цифровых ИМС часто применяют диодные оптроны
При подаче на вход логического нуля ток через све-•годиод не протекает, светодиод не светится, и через фо-
тодиод будет протекать очень маленький темновой ток, которого недостаточно для отпирания транзистора VT1 (рис. 8.42).
