Классификация и условное графическое обозначение интегральных микросхем
Интегральная микросхема (ИМС) — микроэлектрон¬ное устройство, выполняющее функции целой электричес¬кой системы и выполненное в миниатюрном исполнении как единое целое.
Классифицируют ИМС по следующим признакам: 1. По технологии изготовления:
• пленочные — ИМС, у которых все элементы выпол¬нены в виде тонких пленок, нанесенных на диэлек¬трическое основание, т. е. подложку;
• гибридные (ГИС) — ИМС, у которых пассивные эле¬менты выполнены по тонкопленочной технологии, а активные элементы — как отдельные, навесные, бескорпусные (чип);
• полупроводниковые — микросхемы, у которых все эле¬менты «выращены» в кристалле полупроводника.
Тонкопленочные ИМС — такие микросхемы, в кото¬рых все пассивные компоненты, контактные площадки и проводники изготовлены методом тонкопленочной тех¬нологии, которая основана на напылении тонких пленок на подложку в вакууме.
Толстопленочные ИМС — такие микросхемы, в кото¬рых все проводники, контактные площадки и пассивные компоненты выполнены по толстопленочной технологии на диэлектрической подложке. Толстопленочная технология базируется на вжигании резистивных, диэлектрических и токопроводящих паст в подложку. Толщина создаваемых пленок может быть от 1 до 25 мкм.
Гибридные микросхемы — такие приборы, в которых %сроме тонкопленочных проводников, компонентов и кон-жтных площадок на подложке из диэлектрика унреп-яют миниатюрные дискретные компоненты, например, скорпусные транзисторы, диоды и т. д. Полупроводниковые совмещенные ИМС — это такие ;|инсросхемы, у которых подавляющее большинство ком¬итентов выполнены в объеме кристалла полупроводника ^Методом полупроводниковой технологии, незначительная асть компонентов, таких как конденсаторы, резисторы, ^Индуктивности, контактные площадки и токоведущие проводники — методом толстопленочной технологии.
