Процесс эпитаксиального наращивания состоит в вос-становлении из хлоридов в среде водорода кремния при температуре 1200 "С, при этом на поверхности подложки г образуется слой кремния, обладающий относительно ма-териала подложки большим удельным сопротивлением и типом проводимости. Заданные удельное сопротивление и тип проводимости обеспечиваются количеством и ве-личиной легирующих примесей.
Обычно при изготовлении полупроводниковых микро-схем используют метод контактной фотолитографии.
Разрезают цилиндры из кремния на пластины, шли¬фуют и полируют, затем пластины подготавливают к сле¬дующей операции, для чего обезжиривают в растворите-лях или щелочах. Часто для наибольшей эффективности обезжиривания применяют ультразвуковые излучатели, ибо во время воздействия ультразвуком осуществляется перемешивание вещества. При ультразвуковом воз¬действии молекулы растворителя интенсивно бьют по поверхностям очищаемых пластин, с которых удаляют загрязнения. Чтобы после обезжиривания удалить остат¬ки растворителя с кремниевых пластин, осуществляют промывку последних в деионизированной воде, а затем пластины сушат в вакууме.
Осуществляют процесс фотолитографии. Для этого на пластинах выращивают эпитаксиальный слой, а за¬тем пластины Окисляют, в результате получают пленку оксида кремния, толщиной примерно от 0,5 до 1 мкм. В центрифуге на пластины наносят слой фоторезиста. Сушат пленку из фоторезиста при комнатной температуре в течение 10 мин, а затем в течение 10 мин при 100 "С. Затем проводят экспонирование, т. е. облучают пластины 1-5 мин ультрафиолетовым светом кварцевых ламп мощ¬ностью до 1 кВт. Длительность экспонирования зависит от величины светового потока, толщины и светочувстви¬тельности слоя фоторезиста на поверхностях пластин. После этого рисунок проявляют в течение от 1—3 мин, для чего смывают фоторезист проявляющим веществом
свешенных участков пластин, затем пластины про-1 в деионизированной воде. Следующей операцией, дейся примерно полчаса, выполняют дубление при юратурах от 60 до 100 °С и второй раз при 210 "С. дествляют процесс травления с целью получения щка на пленке из оксида кремния. Травление идет §|дезащищенных слоем фоторезиста-участках пластины, эцесс травления длится от 1,5 до 2 ч. Когда он будет энчен, пластины промывают в деионизированной воде, Эользуя, как и раньше, ультразвук, после чего сушат Цдакууме. Осталось удалить с поверхности пластины за-иенный фоторезист и передать пластины в следующий на диффузию легирующих примесей.
