Пленочные конденсаторы представляют собой пле-ночную трехслойную структуру, между ними наносится диэлектрическая пленка. Для обкладок применяют алю¬миний, медь, реже серебро, золото. В виде диэлектрика ^наносятся окись кремния, моноокись германия (GeO), 1окись тантала (Та205). Не рекомендуется, но допускается |для получения больших емкостей напылять многослой-
* ные конденсаторы.
Очень редко применяются пленочные катушки ин-? дуктивности (рис. 7.7). | Навесные элементы — диоды и транзисторы — могут
* быть с гибкими или жесткими выводами. Применение на¬
весных элементов^ жесткими выводами затрудняет процесс
^проектирования интегральных микросхем, но жесткие вы¬воды позволяют автоматизировать процесс сборки.
Конструируют ГИС в следующей последовательности:
1) выполняют анализ принципиальной схемы, учи-тывая электрические и тепловые режимы работы дета-лей, изучая, какие компоненты будут тонкопленочными, а какие придется выполнить навесными;
2) в соответствии с принципиальной схемой вычисля¬ют геометрические размеры компонентов, их пространс¬твенное размещение на подложке, т. е. разрабатывают топологию ГИС;
3) оформляют чертежи микросхемы, обычно поль-зуясь для этого специализированными компьютерными программами;
4) изготавляют опытный экземпляр ГИС;
5) проводят испытание полученной ГИС на соответс¬твие требованиям технических условий. .
Выполняют разработку топологии ГИС в следующей последовательности:
—вычисляют геометрические размеры тонкопленоч-' ных компонентов;
—рассчитывают конфигурацию и размеры проводни¬ков и контактных площадок;
—находят значения площадей, занимаемых компо-нентами;
—определяют геометрические размеры подложки;
—конфигурируют на подложке расположение провод¬ников, компонентов и контактных площадок.
При проектировании топологии ГИС учитывают указан¬ные ниже технологические и конструктивные ограничения:
стараются по возможности не применять ^
{вные компоненты в микросхемах, а подключав
этные катушки индуктивности к выводам микр"сХеМ
. явного •
,rt пределами ее корпуса, но если внедрения индур™
компонента внутрь микросхемы не избежать, <^едует
амнить, что индуктивность такого компонента
годиться в пределах от 3 до 10 мкГн; „
2) конденсаторы, которые можно создать в Г^ '
иметь емкость от 10 до 5 нФ;
3) нижняя обкладка формируемого кондёнс^
РЕВух пластин должна заходить за край верхней об* Т^
lite менее чем на 200 мкм, а пленка, выполняют^ J
8ji; .•■" ' *f ЗКТТ6И
рецию диэлектрика, должна выступать за край v §обкладки не менее чем на 200 мкм;
пассивные компоненты нельзя прибли^Т
^расстояние более 1000 мкм к любому краю подл^КИ'
с\ * <*НЫМИ
о) расстояние между любыми тонкоплен0
; компонентами не должно быть меньше 300 мкм;
v сч ,АМИ не
;•, о) расстояние между контактными площади
Ц должно быть меньше 500 мкм;
7) граница диэлектрика вокруг контактных **
|док не должна быть меньше 500 мкм;
пленочные резисторы не должны быть уже 2(г '
9) минимальное сопротивление пленочного р^11 fi
: не должно быть меньше 50 Ом из технологических .
жений, длина пленочного резистора не меньше 500 МК '
10) контактные площадки для сварки навесив* КО
\ понентов не должны быть меньше 400 * 400 MR**
