Основой биполярного транзистора является кристалл оводникар- или га-типа проводимости, который так , как и вывод от него, называется базой (рис. 3.2).Диффузией примеси или сплавлением с двух сторон *Ьт базы образуются области с противоположным типом
эводимости, нежели база.
Область, имеющую большую площадь рп перехода, и одноименный вывод от нее называют коллектором.
Область, имеющую меньшую площадь рп перехода, и .соответствующий вывод от нее называют эмиттером:
рп переход между коллектором и базой называют коллекторным, а между эмиттером и базой — эмит-терным.
УГО биполярных транзисторов показано на рис. 3.3.
Направление стрелок в обозначениях транзисторов показывает направление протекающего тока. Основной особенностью биполярных транзисторов является нерав¬номерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. В эмиттере концентрация но¬сителей заряда максимальная (рис. 3.4), в коллекторе — несколько меньше, чем в эмиттере, а в базе концентрация носителей заряда во много раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе.
