Независимо от схемы включения транзистор характе-азуется тремя коэффициентами усиления: Ят = /ВЫХ/JBX — по току;Хц = ШыхД/вх = (/вых • ЛнУ(7вх • Лвх)=JKj • RB/RBK — по напряжению;
Хр = Рвых/Рвх = (Свых • /выхУ^Г/вх • 1вх) = К1-Ки —по мощности.
Для схемы с общей базой:
Я, = ¥к//э = а(а <1);
Kv = a ■ (RH/RSX);
RH = n • 1кОм; .
Двх * п ■ 10 £2;
£„ - ге • 100;
Кр = £„/*, = п • 100.
Для схемы с общим коллектором: Ь
Я, = 1э/1б = jff.+ 1 - л;
Kv = p- (RH/RBX) <* п;
KV<1. •
Для схемы с общим эмиттером:
Яг - 1к/1б = р = п (10... 100);
Kv = 0- (RH/RBX);
Кр = КХ-Къ = п ■ (1000... 10000).
Работа усилительного каскада с транзистором про-исходит следующим образом. Представим транзистор переменным резистором го, последовательно с которым включены нагрузочное сопротивление Дн и источник питания Е. Напряжение источника Е делится между сопротивлением нагрузки Лн и внутренним сопротивле¬нием транзистора го, которое он оказывает постоянному току коллектора. Это сопротивление приближенно равно сопротивлению коллекторного перехода транзистора для постоянного тока. В действительности к этому сопро¬тивлению еще добавляются небольшие сопротивления эмиттерного перехода, а также п- и р-областей, но сопротивления можно не принимать во внимание.
Если во входную цепь включается источник колеба¬ний, то при изменении его напряжения изменяется ток эмиттера, а следовательно, сопротивление коллекторного перехода. Тогда напряжение источника Е будет перерасп¬ределяться между сопротивлениями Дн и го, при этом переменное напряжение на резисторе нагрузки может быть получено в десятки раз больше, чем входное пе-
ное напряжение. Изменения тока коллектора почти изменениям тока эмиттера и во много раз больше йвений тока базы. Поэтому в рассматриваемой схеме ^чаются значительное усиление тока и очень боль-* усиление мощности. Усиленная мощность является хью мощности, затрачиваемой источником Е.
