Впервые тринисторы были изготовлены в 1955 г. и едставяяли собой структуру; состоящую из четырех .ев. На рис. 5.4 [32] показана структура тринистора, & на рис. 5.5 [32] — вольтамперная характеристика при зных токах управления.ВАХ тринистора ве линейна, и имеет область отрица¬тельного сопротивления, чем обусловлена возможность отпирания и запирания компонента. Коэффициенты усиления тринисторов по мощности очень велики и могут достигать 107, причем на них не влияет величина силы тока через аноды и катоды данных комнонецтов.
Тринисторы можно включать при напряжениях меньше напряжения включения динистора, для чего достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким обра¬зом, чтобы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе. Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий
яектрод необходимо подавать напряжение отрицательной Йяярности относительно анода, в связи с чем различают ринисторы с управлением по катоду и аноду. Чтобы за¬быть тринистор, необходимо его обесточить либо подать |&кду анодом и катодом напряжение обратной полярности. Область, занимаемая управляющим электродом в кристал-щ рассмотренного тринистора, занимает лишь несколько Процентов от общей площади структуры. Чтобы тринистор йгаереть, небольшой площади управляющего электрода достаточно, но ее не хватает, чтобы запереть тринистор. Ta-lma образом, делаем вывод, что не запираемый тринистор Является частично управляемым компонентом.
На рис. 5.6—5.11 изображены условные графические эбозначения рассматриваемых приборов.
