Диапазон рабочих температур биполярного транзис¬тора определяется температурными свойствами р—п-пе-рехода. При его нагревании от комнатной температуры, составляющей 25 "С, до 65 "С сопротивление базы и за¬крытого коллекторного перехода уменьшается примерно от 15 до 20%. Особенно сильно нагревание полупровод¬ника влияет на обратный ток коллектора /кбо. Приме¬ром может служить факт, что обратный ток коллектора увеличивается в 2 раза при увеличении температуры на каждые 10 °С. Таким образом, изменение температуры кристалла влияет на характеристики транзистора и по¬ложение его рабочей точки (рис. 3.30).
t2° > tl°
1КА
"vi ^ IKH ^ "
IK* /N.PT'
IK / 1 ' \.
F- Fr::~"x%
Шэ'икэ икэ
Рис 3.30. Изменение рабочей точки от изменения температуры
При увеличении температуры ток коллектора тран-. зистора /к увеличивается, а напряжение коллектор-эмиттер £/кэ уменьшается, что равносильно открыванию транзистора.
Делаем вывод, что каскад, выполненный по схеме' включения транзистора с общим эмиттером, требует температурной стабилизации.
