На СВЧ используются диоды Шоттки и диоды с р—п-реходом, площадь которых значительно меньше, чем
большинства точечных диодов. Заостренная вольфра-вая проволока в виде пружины прижимается к базе
определенным усилием, за счет чего образуется р—п-
"реход очень малой площади (рис. 2.33).
В отличие от рассмотренных ранее точечных диодов, )в точечных детекторных диодах для диапазона СВЧ ис-;%ользуют малую площадь контакта p-n-церехода с крис-таллом полупроводника, а сам кристалл у таких диодов обладает низким удельным сопротивлением. Диоды СВЧ обладают максимальным обратным напряжением обычно От 3 до 10 В.
На СВЧ также используют диоды Ганна, Тагера, Мотта, туннельные и p-i-n диоды, а также некоторые другие. Диоды Мотта можно рассматривать как более высокочастотную вариацию диодов Шоттки с тем отли¬чием, что у диодов с переходом Мотта между легирован¬ным кристаллом полупроводника п+ и металлом создан дополнительный слой полупроводника, обладающий собственной проводимостью. Барьерная емкость зависит практически только от толщины полупроводника с соб¬ственной проводимостью, так как в области собственной проводимости сосредоточена контактная разность потен¬циалов такого диода.
Диоды СВЧ часто изготовляют в специальных кор-пусах, предназначенных для монтажа в волноводные системы, или в бескорпусном исполнении для использо¬вания в гибридных интегральных микросхемах. ДиоДы СВЧ могут быть пробиты статическим электричеством или другим напряжением, даже если оно не велико, так как допускают использование, перемещение или хранение при максимальном напряжении не более 5 В, а иногда и ниже. При транспортировке такие диоды хранят в антистатических пакетах, специальных пат¬ронах или фольге, которая замыкает аноды и катоды с целью противодействия пробою. При извлечении диодов СВЧ из транспортировочной упаковки необходимо снять разряд тела заземленным антистатическим браслетом, а также с прибора, в который диоды СВЧ должны быть установлены.
