При функционировании транзистора в усилительном режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный — закрыт, что достигается соответствующим включением источников питания (рис. 3.5).Так. как эмиттерный переход открыт, то через него ет протекать ток эмиттера, вызванный переходом элек-нов из эмиттера в базу и дырок из базы в эмиттер. Сле-вательно, суммарный ток эмиттера /э транзистора будет •ЦШеть две составляющие — электронную 1э.п и дырочную Jfc.p, что можно записать так: /э = 1э.п + /э.р. Эффектив-|вость эмиттера оценивается коэффициентом инжекции, «величина которого обычно составляет примерно 0,999:
/э.п
У=—г~' 1э
где /э.п — часть тока эмиттера, вызванная прохож-| дением электронов,
/э — полный ток эмиттера.
jv- Инжекцией зарядов называется переход носителей '., зарядов из области, где они были основными, в такую рб-% ласть, где они становятся неосновными. В базе электроны j рекомбинируют, а их концентрация в базе пополняется "от плюса источника Еэ, за счет чего в цепи базы тран¬зистора будет протекать очень малый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ^ускоряющим действием поля закрытого коллекторного ?: перехода как неосновные носители будут переходить в |, коллектор, образуя ток коллектора. Переход носителей зарядов из области, где они были неосновными, в область, где они становятся основными, называется экстракцией
зарядов. Степень рекомбинации носителей зарядов в базе биполярного транзистора оценивают коэффициентом пе¬рехода носителей зарядов 5 [38]:
» /к.п
5 = - .
/э.п
где ЛсЛг — часть тока коллектора, вызванная прохож¬дением носителей зарядов.
Основное соотношение токов в транзисторе: /э = /к + /б.
Рассмотрим коэффициент перехода носителей заряда с учетом эффективности эмиттера, подставив эквивалент¬ные им выражения:
_ /э.п • /к.п /к.п
5у=—— = —— = а,
/э • /э.п /э
где а — коэффициент передачи тока эмиттера транзис¬тора или коэффициент усиления по току, который также можно найти по формуле [38], [123]
/к = а • /э.
Дырки из коллектора как неосновные носители за-рядов будут переходить в базу, образуя обратный ток коллектора /кбо:
ha — а- 1э + /кбо. Из трех выводов транзистора на один подается вход¬ной сигнал, со второго — снимается выходной сигнал, а третий вывод является общим для входной и выходной цепей (рис. 3.6).
