При больших токах и высоких напряжениях ис-пользуют специальные комбинированные транзисторы с изолированным затвором, опытные образцы которых появились за рубежом в 80-х г. прошлого века, их назы¬вают Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). В таких приборах совмещены сразу два основных элемента — мощный биполярный p-n-р транзистор и управляющий им маломощный полевой транзистор. Эти два транзистора соединяют внутри корпуса IGBT так, что сток полевого транзистора соединяют с базой биполярного транзистора, а исток полевого транзистора — с коллектором биполярно¬го. Эмиттер встроенного биполярного транзистора играет роль коллектора IGBT, коллектор является эмиттером IGBT, а затвор IGBT соответствует затвору встроенного полевого транзистора. Разрабатывали IGBT как высо¬ковольтные компоненты с большим током коллектора и низким напряжением коллектор-эмиттер в режиме насыщения, так как мощные полевые транзисторы в таких режимах работы обладают большим падением напряжения, а следовательно, выделяют много тепла. Современные мощные полевые транзисторы с идентич¬ными параметрами одной ценовой группы практическименялись с IGBT по величине падения напряжения в Вясиме насыщения.
ВрЁДиной буквенно-цифровой системы обозначений Щ IGBT, как и для MOSFET, нет. Большинство фирм-■Шзводителей используют свою систему обозначений. ■рйМОтрим систему обозначений IGBT фирмы Infineon «примере транзистора SGP30N120. |?! Первая группа из букв «SG» показывает тип транзис-Вра. Так, транзистор с буквами «SG» — быстродейству-ррш IGBT, с «BUP» — типовой низкочастотный IGBT, llSK» — быстродействующий IGBT с интегрированным шртродействующим обратным диодом. Вторую группу ■разует буква латинского алфавита, указывающая на HE корпуса. В случае наличия буквы «Р» или цифры Ц» нужно понимать, что корпус компонента будет марки Ю-220АВ, с буквой «D» — ТО-252АА, с «I» — ТО-262,
Е
Цв» — ТО-263АВ, с «W» — ТО-247АС, а цифрой «3» — |р-218АВ. Третью группу составляют цифры, показыва¬ющие ток коллектора транзистора в амперах. В нашем «мере цифра «30» подразумевает максимальный пос-янный ток коллектора транзистора в 30 А. Четвертую уппу тоже составляют цифры, но показывающие мак-|имальное напряжение -коллектор-эмиттер транзистора, |Ьмноженное на 10. В нашем примере цифра «120» под¬разумевает максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора в 1200 В.
