Первый полевой транзистор с изолированным затво¬ром был изготовлен в 1960 г. Полевые транзисторы с изолированным затвором интересны тем, что их затворы выполнены из пленки металла, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого применяется оксид кремния Si02, поэтому их называют МОП и МДП. Аббревиатура МОП расшифровывается как металл — оксид — полупроводник. Аббревиатура названия МДП-транзисторов расшифровывается как металл — диэлектрик — полупроводник. В зарубежнойратуре МОП-транзисторы называют MOSFET — metal ..^ semiconductor field effect transistor. jp МОП-транзисторы могут быть двух видов:" со встроен-т Я индуцированным каналом. Транзисторы со встроенным каналом. Основой таких евых транзисторов является кристалл полупроводника |кремния р- или n-типа проводимости (рис. 4.9).Принцип действия полевых транзисторов с п-типом
оводимости таков. Под действием электрического поля
вжду стоком и истоком через.канал будут протекать
шовные носители зарядов, т. е. будет существовать
Шок стока /cl. При подаче на затвор положительного на¬пряжения t/зи >0 электроны как неосновные носители арядов подложки будут втягиваться в канал. Канал Зогатится носителями заряда, и ток стока увеличится:
рс2 > /cl. При подаче на затвор отрицательного напря-жения С/зи < 0 электроны из канала будут уходить в
Подложку, канал будет беден носителями зарядов, и ток
ртока уменьшится: /сЗ < Id. При достаточно больших Напряжениях на затворе £/зи < 0 все носители заряда
Шотут из канала вытягиваться в подложку, и ток стока
Щюлевого транзистора станет равным 0:1с4 = 0.
Следовательно, МОП-транзисторы со встроенным ка-
Йэгалом могут работать как в режиме обогащения, так и
Iff режиме обеднения зарядов.
На рис. 4.10 показана зависимость токов стоков от
^напряжения затвор-исток и напряжения отсечки для
|транзисторов л- и р-типа проводимости.
Транзисторы с индуцированным каналом. Устройс-тво транзисторов с индуцированным каналом показано на рис. 4.11, а зависимость токов стоков от напряжений на затворах для транзисторов п- и р-типов проводимости — на рис. 4.12.
