В слое окисла кремния создается область из алюминия 1ли поликристаллического кремния на расстоянии менее мкм от полупроводника.
Принцип действия МОП-транзисторов с плавающим атвором точно такой же, как у транзисторов МНОП, so при программировании электроны скапливаются в хавающем затворе из алюминия или кремния. Стирание ^формации осуществляется ультрафиолетовым облуче-яем кристалла полупроводника специальной лампой,
для чего в корпусах таких микросхем есть прозрачное окно, которое на период эксплуатации прибора заклеи-вают светонепроницаемым материалом. Если ультрафи¬олетовой лампы нет, а стереть информацию необходимо, можно облучить кристалл микросхемы солнечным све¬том. Микросхемы РПЗУ служат элементами памяти для микроконтроллеров. Такие элементы памяти обладают довольно низким быстродействием со временем доступа к информации порядка сотен наносекунд. Потребляемая мощность микросхем РПЗУ чаще всего не превышает 1 Вт. Обычно объем памяти РПЗУ не велик и составляет от 16 до 128 Кб.
