В интегральных микросхемах (ИМС) репрограм-ируемых постоянных запоминающих устройств ПЗУ), часто используемых в опытном производстве фровых устройств [118], в виде элементарной ячейки я хранения информации применяют полевые тран-сторы МНОП или МОП-транзисторы с плавающим твором. Аббревиатура МНОП расшифровывается металл — Н — сплав HSijN, — оксид металла — проводник. Один бит информации в РПЗУ соответс-ует состоянию одного транзистора ячейки. •, Принцип действия этих транзисторов основан на том, в сильных электрических полях электроны могут роникать в диэлектрик на глубину до 1 мкм. МНОП-структура транзистора изображена на рис. 4.13.Транзисторы структуры МНОП имеют диэлектрик из двух слоев. Первый слой толщиной менее 1 мкм — окись кремния, второй слой толщиной несколько микрон со¬стоит из нитрида кремния.
Без программирования этот транзистор работает как обычный МОП-транзистор и содержит логическую еди¬ницу информации (рис. 4.14).
Для программирования логического нуля на затвор кратковременно подают напряжение, величиной от 25 до 30 В. Под действием этого напряжения электроны про¬ходят слой окиси малой толщины, но не могут пройти слой нитрида кремния, в результате чего скапливаются на границе этих слоев. Поскольку напряжение подают кратковременно, электроньгЧютаются на границе слоевдиэлектриков. Оставшись, электроны создают объ-дай отрицательный заряд, который хранится" весь-
§Адолго. Теоретически заряд мог бы храниться сколь цно долго, если бы не было потерь на -сопротивление аэлектрике. За счет этого заряда возникает электри-<ое поле, противодействующее полю затвора. Чтобы щировать канал в транзисторе, на затвор необходимо давать большее напряжение, чтобы преодолеть дей-яе поля объемного заряда. Это соответствует сдвигу
экозатворной характеристики транзистора вправо по : напряжений. При подаче на затвор импульса запроса хлитудой в 5 В канал индуцироваться не будет, ток
г>ка транзистора и ток в нагрузке отсутствуют и на
^грузке будет уровень логического нуля. Для стирания информации с транзисторной ячейки затвор подают напряжение от 25 до 30 В только от¬дельной полярности [38]. Структура МНОП-транзистора с плавающим затвором
оказана на рис. 4.15.
