Определение -параметров по статическим характеристикам
Так как статические характеристики транзисторов измеряются только на постоянном токе, при определении амплитудных параметров представим токи и напряжения в виде приращения постоянных составляющих.
Входное сопротивление транзистора при коротком замыкании в выходной цепи при фиксированном напря¬жении 172 найдем по формуле:
. ДЕЛ Ли = ——- • All
Коэффициент обратной связи каскада без нагрузки во входной цепи при фиксированном токе Л вычислим по формуле
. ДЕЛ
пи = •
ДЕ72
выходную проводимость транзистора без нагрузки
родной цепи при заданном токе Л вычислим по
ле .
Д12 Й22=ДУ2'
11кэ2>0
Величины hn и hu определяют по входным харак-стикам транзистора. Рассмотрим графоаналитичес-- нахождение fc-параметров на примере каскада по -ме с общим эмиттером. Ввиду того, что биполярный нзистор всегда имеет токовое управление, требует-йспользовать входные и выходные характеристики с. 3.27-3.29).
ибэ! ибэ2 ибэ
Рис. 3.27. Входные характеристики транзистора при различных токах базы
Коэффициент усиления транзистора по току при напряжении Е/2, принятом за константу, найдем по формуле
. А/2
Й21 = —— •
Будем считать, что нагрузочное сопротивление кас¬када будет одинаковым и для постоянного, и для пере¬менного тока. Требуемый й-параметр рассчитывается из приведенных ниже формул. Из рисунков видно, что подставляемые в формулы данные следует находить путем проекции точек на оси координат. Вычисление параметра йпэ проведем по формуламAU6 тт .
hp = ——- при 1/кэ = const Д/б
ЛнЭ =
#бэ2-1/бэ1 /62-/61
М =
а параметра Л12э по формулам: ДСГСэ
Щ>И /6 = COnst ;
АС/кэ
икэ2
= Цбэ2_-ибэ1 _ ибэ2-ибэ1 иЭ ~ Пкэ2 - икэ! ~
f так как напряжение коллектор-эмиттер транзистора §С?кэ1 равно 0.
Параметры А21 и й22 определяют по выходным харак¬теристикам (рис. 3.29), а й12э находят по формулам
Л„Э = /к2- /к1
/63- -/62 '
Й..Э: /к2- -/Kl'
