Емкость перехода база-эмиттер транзистора VT1 вместно с сопротивлением резистора Л б представляет "ой интегрирующую цепь, которая замедляет процесс крывания и закрывания транзистора и губит быст-действие каскада. Для преодоления этого недостатка араются использовать транзистор с небольшой емкостью за-эмиттер, однако снизить величину этой емкости нее 3 пФ затруднительно, поэтому для нормального ункционирования ключевого каскада параллельно £зистору Дб часто включают конденсатор, называемый соряющим или форсирующим, его емкость должна быть больше входной емкости транзистора. При подаче импульса напряжения на вход такого модифицированного каскада сигнал быстро передается на базу транзистора, и быстродействие узла является высоким.
Д, качестве нагрузки каскада вместо резистора Дк часто используют импульсный трансформатор. Такой ком¬понент после резкого прекращения протекания тока через первичную обмотку вырабатывает импульс напряжения электродвижущей силы (ЭДС) самоиндукции, который может вызвать пробой перехода коллектор-эмиттер тран¬зистора. Чтобы защитить транзистор от пробоя, парал¬лельно переходу коллектор-эмиттер устанавливают диод в обратном включении или стабилитрон. При отсутствии входного сигнала ток через диод является обратным током и чрезвычайно мал, так что его допустимо не учитывать. Во время импульса напряжения ЭДС самоиндукции на первичной обмотке трансформатора ток будет протекать через диод и падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора составит маленькое напряжение рп перехода в прямом включении. Этим достигается защита транзистора от пробоя.
