Стокозатворная — зависимость тока стока 1с от
\ напряжения на затворе С/зи для транзисторов с ка¬
налом n-типа (рис. 4.6).
• Стоковая — зависимость тока стока 1с от напряже¬
ния сток-исток Г/си при постоянном напряжении на
затворе (рис. 4.7); 1с = / (l/си) при Г/зи = const.
Основные параметры:
1. Напряжение отсечки.
2. Крутизна стокозатворной характеристики пока-вает, на сколько миллиампер изменится ток стока левого транзистора при изменении напряжения на «гворе на 1 В при фиксированном напряжении сток-ток. Крутизну стокозатворной характеристики можно
Ic2 - Icl
числить по следующим формулам:
А/с о _ S = —— s =
А17зи' |£7зи2-1/зи1|
3 Внутреннее сопротивление, иногда называемое «ыходным, полевого транзистора, равное частному прира-,|цений напряжения сток-исток транзистора и тока стока и фиксированном напряжении затвор-исток, можно ычислить по формуле
At/си
А/с
т =
Приращения напряжения сток-исток Д£/си и тока
ока Мс можно определить по графику выходных ха-
актеристик полевого транзистора, изображенных на
ис. 4.8.
4. Входное сопротивление полевого транзистора, авное частному приращений напряжения затвор-исток тока затвора, можно найти согласно выражению
Двх =
AL/зи АГз
Ввиду того, что на затвор рассмотренного полевого транзистора подают сугубо запирающее напряжение, ток затвора будет представлять собой обратный ток закры¬того рп перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Двх полевого транзистора весьма велика и может достигать 109 Ом.
