Суббота, 19.05.2012, 21:06

Компьютерная тех. поддержка

Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [58]
Новые статьи [50]
Новые статьи 2 [50]
Мои статьи 2 [50]
Актуальные статьи [50]
статьи [50]
обзоры [50]
новости [50]
последние [50]
новые [50]
свежие [50]
избранные [50]
классные [49]
специальные [51]
электроника [50]
электроника 2 [50]
электроника 3 [50]
компьютеры [50]
компьютеры 2 [46]
компьютеры 3 [49]
компьютеры 4 [50]
компьютеры 5 [54]
компьютеры 6 [44]
компьютеры 7 [45]
компьютеры 8 [51]
компьютеры 9 [50]
компьютеры 10 [50]
новости пк [51]
новости пк 2 [56]
новости пк 3 [48]
новости пк 4 [49]
новости пк 5 [50]
новости пк 6 [55]
новости пк 7 [51]
новости пк 8 [51]
железо [61]
железо 2 [50]
железо 3 [47]
железо 4 [49]
железо 5 [53]
железо 6 [56]
железо 7 [58]
железо 8 [52]
железо 9 [50]
железо 10 [52]
Наш опрос
Какой операционной системой вы пользуетесь??
Всего ответов: 183
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Форма входа
E-mail:
Пароль:
Статьи
Новое
Поиск
Спонсоры
Экспертиза кровли. Скидки: Мягкая черепица цена.

рекомендуем

Главная » Статьи » электроника

Импульсные диоды
Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных цепях с длительностями импульсов от нескольких наносекунд до нескольких микросекунд. Рассмотрим работу обычного;?—«-перехода при подаче на него импульсного напряжения (рис. 2.29).В промежуток времени от 0 до tl (рис. 2.30) р—«-пе¬реход закрыт (обратным напряжением пренебрегаем). В момент времени 11 рп переход открывается, но ток через него и нагрузку достигает своего максимального ус-_ тановившегося значения, не мгновенно, а за длительность времени tуст, которое необходимо для заряда барьерной емкости рп перехода. момент времени tl pn переход почти мгновенно врывается, область р-проводимости оказывается на-шейной неосновными носителями зарядов, т. е. элек-яами. Не успевшие рекомбинировать электроны под аствием поля закрытого p—n-перехода возвращаются иК'й'Область, за счет чего сильно возрастает обратный По мере ухода электронов из р-области обратный ; уменьшается, и по прошествии времени tBOccr р—п-Ореход восстанавливает свое свойство односторонней эводимости. В импульсных диодах время восстановле-[ и установления должно быть минимальным. С этой пью импульсные диоды конструктивно выполняются точными или микросплавными, толщина базы диода лается минимальной. Полупроводник часто легируют Ьлотом или некоторыми другими цветными металлами кя увеличения подвижности электронов. Рассмотрим параметры отечественного импульсного |иода КД520А, снятые при температуре 25 °С.
Категория: электроника | Добавил: sergei4 (25.09.2010)
Просмотров: 190 | Рейтинг: 2.0/1
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email:
Код *: