Принцип действия всех фоторезисторов основан на явлении фотоэффекта в веществах полупроводников. Фоторезистор — такой полупроводниковый компо-нент, сопротивление которого меняется при облучении. В качестве полупроводника фоторезисторов видимого света часто используют селенид свинца, сульфид или селенид кадмия. Полупроводником фоторезисторов инфракрасного диапазона является германий, легиро¬ванный цинком, золотом или медью. Важнейшей час¬тью фоторезистора является пластина полупроводника, которую облучают светом, к ней подсоединены выводы компонента. В момент облучения пластины возраста¬ет число подвижных носителей заряда — электронов и дырок, сопротивление фоторезистора значительно уменьшается, и этот процесс будет продолжаться до наступления динамического равновесия. Если перестатьЁоучать пластину полупроводника, носители заряда эмбинируют и сопротивление фоторезистора, вернется исходному значению.
фоторезистор состоит из диэлектрического основания йсерамики, стекла, ситалла, кварцевой или слюдяной тины, на которое крепят изолированные друг от дру-|йыводы, после чего наносят слой полупроводникового сериала. Для защиты от разрушения в агрессивной «ружающей среде изготовленный компонент покрыва-яаком. Фоторезистор заключают в металлический пластмассовый корпус с окном, расположенным юсредственно над полупроводником. В окно корпуса сет быть интегрирован светофильтр, пропускающий 1учение с фиксированной длиной волны, или линза, вктральная характеристика фоторезисторов, а также стегральная чувствительность аналогичны характерис-1кам и параметрам фотодиодов.
Фоторезисторы используют в цепях управления и втоматики.
