Наблюдая за последствиями облучения селенового столбика, ученые Адаме и Дей в 1876 г. открыли вентиль¬ный фотоэффект, который проявляется вырабатыванием ЭДС между полупроводниковыми переходами или пере¬ходами металл—полупроводник под воздействием света, который падает только на одну часть переходов.
«Фотодиодом называется фотогальванический приемник излучения, светочувствительный элемент которого пред-ставляет собой структуру полупроводникового диода без внутреннего усиления. Полупроводниковыми материалами
Изготовления фотодиодов могут служить антимонид
I, арсенид галлия, германий. Фотодиоды широкого
Зления функционируют при комнатной температуре
уса компонента, а некоторые специальные фотодиоды
^минимизации шумов охлаждают жидким азотом.
; Дри облучении полупроводника световым потоком Ф
гает фотогенерация собственных носителей зарядов
|0> 2.22), что приводит к увеличению количества как
ювных, так и неосновных носителей зарядов, и ток
ррез фотодиод возрастает.
Кроме того, фотогенерация в значительной степени |>удет влиять на обратный ток, так как неосновных но¬сителей зарядов значительно меньше, чем основных (рис. $5.23). Таким образом, обратный токв фотодиодах зависит |от освещенности кристалла полупроводника.Для фотодиодов обратный ток 1обр — фототек. За¬висимость фототока /ф от величины светового потока: 1ф = / (Ф) (рис. 2.24).Темновой ток — ток через фотодиод при отсутствии светового потока и при заданном рабочем напряжении. Интегральная чувствительность — отношение фото-
Jd> тока к интенсивности светового потока S = — .
Ф
Размерность чувствительности фотодиода выражают в миллиамперах на люмен: мА/лм. Чувствительность лучших фотодиодов может достигать 30 мА/лм.
Рабочее напряжение — обратное напряжение, подава-емое на фотодиод, при котором все параметры фотодиода будут оптимальными,,
