|
|
ДИНИСТОРЫ, ТРИНИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
| Устройство и принцип действия динисторов
Ет* ружная р-область динисторов и вывод от нее на-тся анодом (рис. 5.1), наружная n-область и соот-ующий вывод от нее — катодом.
Внутренние р-и «-область называются базами динис¬тора. Крайние р—л-переходы называются эмиттерными, а средний — коллекторным, Динистор можно получить путем соединения двух транзисторов p-n-р и п-р-п типов проводимости, например, серий КТ315 и КТ361, при этом эмиттеры п-р-п-и р-л-р-транзистора будут выводами динис-тора. Базар-л-р-транзистора должна быть соединена с кол¬лектором л-р-л-транзистора, а база л-р-л-транзистора — с коллектором р-л-р*транзйстора.
Аналитически подадим на анод воображаемого ди-нистора отрицательное, а на катод положительное напря¬жение, при этом эмиттерные переходы будут закрыты, а коллекторный переход динистора открыт. Основные носители зарядов из анода и катода не смогут перейти в базу, поэтому через динистор будет протекать толь¬ко маленький обратный ток, вызванный неосновными носителями заряда (рис. 5.2). Бели на анод подать «+», а на катод «—», эмиттерные переходы открываются, а коллекторный закрывается.
Принцип действия динисторов таков. Основные носи¬тели зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода — в базу 2, где становятся неосновными и в базах происходит активная рекомбинация носителей зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов умень¬шается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которого для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерныйтак как в базах опять становятся основными, эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, и — в катод, где вторично становятся неосновными чно происходит активная рекомбинация. В резуль-ьЯШх. процессов количество зарядов, прошедших через гор, будет очень мало, и прямой ток также будет мал. При увеличении напряжения, прикладывае-к динистору, прямой ток незначительно возрастает, как увеличивается скорость движения носителей, зеивность рекомбинации уменьшается. При увеличе-напряжения на динисторе до определенной величины одит электрический пробой коллекторного перехода, тивление динистора резко уменьшается, ток через сильно увеличивается и падение напряжения на нем яительно уменьшается, при этом говорят, что динистор гшел из выключенного во включенное состояние. If Динисторы применяются в виде бесконтактных пере-эчательных устройств, управляемых напряжением. Отечественные кремниевые диффузионные динисторы Т102А и КН102А, а также приборы этой серии с бук-ными индексами Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л структуры М-р-п используют в качестве переключающих приборов ^импульсной технике. Корпус у данных тиристоров %таллостеклянный. Марку динисторов приводят на "рпусах приборов. Динисторы обладают следующими эавочными данными. |
| Категория: электроника | Добавил: sergei4 (03.10.2010)
|
| Просмотров: 552
| Рейтинг: 1.5/2
|
|
|
