Диапазон рабочих частот транзистора определяется
дующими двумя факторами:
гб
—наличием барьерных емкостей на р—п-переходах. Коллекторная емкость сильнее влияет на частотные свойства транзистора, так как она подключается параллельно большому сопротивлению (рис. 3.31);
Рис. 3.31. Эквивалентная схема транзисторного каскада
—возникновением разности фаз между токами эмит¬тера и коллектора. Ток коллектора отстает от тока эмиттера на время, требуемое для преодоления базы транзистора носителями заряда. Рассмотрим рисунки векторов токов транзистора для трех случаев частот со:
1. Пусть частота отсутствует при col = 0, т. е. имеем *дело с постоянным током, сдвиг фаз 0, ток базы транзистора во втором случае будет больше, нежели в случае 162 > /61. Коэффициент пере-
/к
дачи тока во втором случае составляет /82 = 81
(рис. ЗМ) [32].
Предположим, что частота весьма высокая а>3 >0 (рис. 3.34) [32], при этом коэффициент передачи тока /33 намного меньше, чем на не высокой частоте. И намного меньше, чем на постоянном токе pi.
Таким образом, с ростом частоты коэффициент усиле¬ния по току уменьшается, поэтому для оценки частотных свойств биполярных транзисторов используют один из важнейших параметров, именуемый граничной частотойтакая частота, на которой коэффициент усиления «а уменьшается в V2 раз. Пользуясь понятием гра¬фой частоты, определим коэффициент передачи тока формуле [32]
(■где /?о — коэффициент усиления на постоянном
е;
/— частота, на которой определяется коэффициент
ения р, „ /тр — граничная частота.